全球6G技术大会2023时间表：什么时候开始什么时候结束？

2023全球6G技术大会举办时间：3月22日至24日。

本届大会主题为“6G融通世界，携手共创未来”。

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据DIGITIMES研究报告，随氮化镓（GaN）通讯元件于工艺及磊晶技术持续精进，将由现行散热较佳的碳化硅基氮化镓（GaNonSiC）结构，朝着即将试产的GaNonGaN及磊晶质量改善后的硅基氮化镓（GaNonSi）架构发展，以支持后续6G网络通讯在低轨卫星及智能手机等场景应用。再者，因6G网络将整合4G与5G通讯的云端及边缘运算能力，并提供更宽广的6G网络频段、资料传输率及传输范围，亦有望推升GaN通讯元件于高频及高功率环境下的终端需求。（磊晶，Epitaxy是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶，以制成新半导体层的技术）

由于通讯网络技术的不断升级，从原先单纯语音传输的2G到现行复杂物联网的5G、再至未来整合多元传感器的6G网络，将提供人们更加便捷的通讯生活。6G网络无论于频谱效率、通讯能效及数据传输率等皆更胜5G，且6G拥有更宽广的网络频段与可支持非地面通讯（Non-TerrestrialNetwork；NTN），有望拉抬GaN通讯元件于6G网络生态系的渗透比例。

GaN通讯元件因高频及高功率的材料特性，适合在如基站内的功率放大器（PowerAmplifier；PA）等严苛的工作环境操作。现行GaN通讯元件结构多数以散热条件较佳的GaNonSiC异质磊晶结构为主。DIGITIMESResearch认为，未来随同质GaNonGaN元件接续问世及GaNonSi磊晶质量获得改善，其将渐应用于6G网络通讯于低轨卫星及智能手机等终端场景。