美国无限期豁免后 三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

10月16日消息，根据此前的相关报道，三星和SK海力士获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在中国的工厂安装带有美国技术的制造设备。

对于三星来说这无疑是一个好消息，在取得豁免后三星也确实在采取相应措施。据Business Korea今天的报道，三星电子决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺。

报道显示，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。

三星决定升级其西安工厂的原因主要由两个：

第一个原因是三星想要在目前尚未复苏的NAND芯片市场继续保持全球领先地位。从去年年底开始的半导体市场疲软影响到了三星NAND业务，即便是4月开始采取减产措施后也没有明显改变。

因此三星选择了升级工艺来确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。

再加上由于三星的减产措施，其西安工厂的整体开工率也是大幅下降到了20%左右。

另一个原因就是美国的无限期豁免。三星西安工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元（约合795亿元人民币），2017年开始建造的第二工厂，先后投资了150亿美元（约合1097亿元人民币）。

目前三星西安工厂已经成为了世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。三星那么多的投资，再加上美国现在又对其进行了豁免，升级生产工艺也就在情理之中了。