国产存储逆袭！长江存储在美国起诉美光侵犯专利：后者回应

11月16日消息，针对长江存储的起诉，美光回应称保持沉默，不会对案件进程有任何透露。

美光不对未决诉讼发表评论。美国加利福尼亚北区法院公布的信息显示，11月9日，长江存储起诉美光科技及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其美国专利。

本月早些时候，中国最大闪存芯片制造商长江存储在美国起诉美光，后者侵犯了专利。

长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。

诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。

据悉，长江存储指控美光侵犯了美国专利号为”10,950,623“”11,501,822“”10,658,378“”10,937,806“”10,861,872“”11,468,957“”11,600,342“和”10,868,031“的专利。

美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。