三星推出UFS 5.0：读写速度翻倍 功耗降40% 体积

二零二六年六月二十三日，三星正式推出通用闪存标准UFS 5.0，这是自二零二二年UFS 4.0发布后，该系列标准迎来的又一次关键迭代。

依据官方公布的技术参数，UFS 5.0的顺序读取速度最高可达每秒十点八吉字节，顺序写入速度最高可达每秒九点五吉字节，相较前代UFS 4.1提升幅度超过一倍。

该标准计划于二零二六年第四季度启动量产。

与UFS 4.1相比，UFS 5.0在核心性能指标上实现显著跃升。UFS 4.1的顺序读取速度约为每秒四点二吉字节，顺序写入速度约为每秒二点八吉字节；而UFS 5.0分别达到约每秒十点八吉字节和每秒九点五吉字节，读取性能提升约百分之一百五十七，写入性能提升约百分之二百三十九。

若上述性能在终端设备中得以完整实现，其存储读写能力将超越当前主流笔记本与台式机所采用的PCIe Gen 4 NVMe固态硬盘——后者典型顺序读取速度约为每秒七点五吉字节，顺序写入速度约为每秒六点八吉字节。

能效方面，UFS 5.0相较UFS 4.1整体功耗降低百分之四十，有助于延长移动设备单次充电后的使用时长。

物理封装尺寸亦进一步优化，由UFS 4.0与4.1沿用的十一毫米乘十三毫米乘一毫米，缩减至七点五毫米乘十三毫米乘零点九毫米，体积减少约百分之十六点七，为整机内部布局释放更多空间，利于集成更高密度的元器件或更大容量的电池。

在底层架构上，UFS 4.0与4.1基于MIPI M-PHY 5.0物理层，采用HS-G5高速传输通道；UFS 5.0则升级至MIPI M-PHY 6.0物理层，并启用HS-G6通道，支持更高并发的数据包传输，提升总线利用率。

功能层面，UFS 5.0延续了UFS 4.1引入的主机端碎片整理机制，并对随机输入输出操作性能进行了增强。安全性方面新增Inline Hashing机制，可在数据传输过程中实时生成哈希校验值，强化数据完整性与防篡改能力。

对于当前使用搭载UFS 4.1存储芯片设备的用户而言，仅因存储规格升级而提前更换终端并非必要选择；但在常规换机周期内，UFS 5.0所代表的综合性能与能效优势，值得作为关键参考指标之一。