瑞萨发布第三代DDR5 MRDIMM芯片组，带宽达160

瑞萨电子于2026年7月31日正式发布第三代DDR5 MRDIMM芯片组解决方案，将服务器级MRDIMM的数据传输速率提升至16000 MT/s，相较上一代产品带宽提升25%。

该方案由两款核心器件构成：第三代多路复用寄存时钟驱动器MRCD（型号RRG5013）与多路复用数据缓冲器MDB（型号RRG5103）。相关产品将于2026年8月4日至6日在美国圣克拉拉举行的FMS展会期间首次公开展示。

MRDIMM架构已在第二代产品中完成充分验证并实现规模化应用。此次第三代方案在延续既有架构理念的基础上，重点强化性能表现，同时严格遵循标准DIMM外形尺寸与接口规范，确保与现有服务器平台完全兼容，无需对系统进行结构性改造即可实现性能跃升。

瑞萨提供覆盖MRDIMM完整信号链的配套芯片组合，涵盖MRCD、MDB、电源管理单元PMIC、SPD Hub以及温度传感模块。客户可在不同代际产品间平滑升级，在提升内存带宽的同时维持设计一致性与开发连续性。

第三代方案新增系统可视化能力与可靠性增强机制。其中，器件均衡自训练模式DESTM引入质量指示状态功能，支持用户对时序参数及接收端均衡训练过程进行精细化调节，从而显著提升信号裕量与系统稳定性。

在能效设计方面，第三代方案从系统级角度优化功耗表现，助力客户在持续增长的带宽需求与日益严苛的散热、功耗约束之间实现更优平衡。详细功耗指标将在后续发布的正式产品文档中予以披露。目前，瑞萨正与主流CPU厂商及服务器平台合作伙伴协同推进第三代MRDIMM的技术整合与落地部署。

MRCD（RRG5013x）与MDB（RRG5103x）已面向部分客户启动工程样品交付，覆盖全部主要DRAM制造商。量产计划预计于2027年下半年正式启动。