英特尔加速俄亥俄晶圆厂建设，EMIB-T先进封装技术20

英特尔正加速推进位于俄亥俄州的大型晶圆厂园区建设，计划于2031年实现全面运营。为保障工程按期推进，公司已面向相关员工推出具有竞争力的加班激励方案。

该园区规划占地约1000英亩，相当于405公顷，将重点承载英特尔“埃米时代”先进制程的研发与量产任务，涵盖18A及后续的14A工艺节点。其中，14A工艺的大规模量产目标明确指向2031年。

在封装技术领域，英特尔自主研发的EMIB-T先进封装方案取得实质性突破。该技术基于嵌入式多芯片互连桥接架构，在有机基板中嵌入微型硅桥，实现多个芯粒在单一封装内的高密度、高性能互连。与传统方案不同，EMIB-T仅在芯粒与硅桥接触的边缘区域设置高密度微凸点，显著提升信号传输效率。更进一步，其通过在硅桥内部集成贯穿式硅通孔，构建垂直通道，直接从封装底部向三维堆叠的处理器或内存模块输送电力与高速信号，从而支撑更高层级的芯片集成。

从成本角度看，EMIB-T相较当前主流的同类先进封装方案具备明显优势，综合制造成本降低约一半。英特尔计划于2027年启动该技术的大规模商业化交付。目前，整体封装良率已接近90%，但基板环节的良率仍维持在50%左右，成为制约产能释放的核心瓶颈。

EMIB-T所用基板由三层结构精密协同构成：底层为基础有机基板面板，由多家专业厂商供应，面板上设有高精度凹槽用于精准定位硅桥；中层为覆盖硅桥的介电层堆叠，采用行业通用的味之素积层膜；顶层则为内置TSV的硅桥本体，承担垂直方向的信号与电力传输功能。

当前，基板制造环节仍是EMIB-T产业化进程中的关键制约点。相关供应商表示，该技术尚处于产业化初期阶段，现阶段首要任务是加快产线建设节奏，并集中资源提升基板制造的稳定性与合格率。