Intel发明全新玻璃基板封装：互连密度提升10倍

制程工艺不断提升的同时，整个半导体行业还在持续研究各种先进封装技术，二者结合打造越来越庞大、强大的芯片。

Intel在先进封装技术方面尤其有着悠久的历史和丰富的成果，早在20世纪90年代就引领从陶瓷封装向有机封装过渡，率先实现无卤素、无铅封装，EMIB、Foveros、Co-EMIB如今都已经投入实用，Foveros Direct、Foveros Omni也已经做好了准备。

现在，Intel宣布率先推出面向下一代先进封装技术的玻璃基板，计划在未来几年内推出相关产品，可在单个封装内大大增加晶体管数量、提高互连密度，使得合作伙伴与代工客户在未来数十年内受益。

玻璃基板组装芯片的一侧

玻璃基板测试芯片

目前普遍采用的有机基板封装预计会在2020年代末期达到晶体管缩微能力的极限，因为有机材料耗电量比较大，存在缩微、翘曲的限制。

相比之下，玻璃具有独特的性能，比如超低平面度(也就是极为平整)、更好的热稳定性和机械稳定性。

使用玻璃材料制成的基板，具有卓越的机械、物理、光学特性，可以在单个封装中连接更多晶体管，提供更高质量的微缩，并支持打造更大规模的芯片，也就是系统级封装。

玻璃基板测试单元

Intel CEO基辛格展示玻璃基板测试晶圆

Intel表示，玻璃基板更高的温度耐受可使变形减少50％，便于更灵活地设置供电和信号传输规则，比如无缝嵌入光互连、电容、电感等器件。

同时，玻璃基板极低的平面度可改善光刻的聚焦深度，整体互连密度有望提升多达10倍，还能实现非常高的大型芯片封装良率。

Intel的目标是到2030年实现单个封装内集成1万亿个晶体管，玻璃基板将是推动这一目标落地的强有力支持。